| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构及其制造方法。所述方法包括：提供基底；在所述基底上形成钨层；在所述钨层表面形成金属互连层；刻蚀所述钨层和金属互连层，形成至少一个金属互连线；在所述金属互连线和所述基底上覆盖第二绝缘层；在所述第二绝缘层内形成第二金属互连结构，所述第二金属互连结构位于所述金属互连线上方。先形成一层较薄的钨层再形成金属互连层，构成金属互连线；所述钨层作为所述金属互连线的一部分材料，当器件导通时，所述钨层起到了电流分流作用，可以改善金属迁移失效现象。 | ||
| 申请公布号 | CN106409754A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201510456364.5 | 申请日期 | 2015.07.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 张冠群;何朋;蒋剑勇 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静;吴敏 |
| 主权项 | 一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底中形成有第一绝缘层和位于所述第一绝缘层内的第一金属互连结构；在所述基底上依次覆盖导电层和金属互连层；刻蚀所述金属互连层和导电层，形成至少一个金属互连线，所述金属互连线位于第一金属互连结构上且露出所述第一绝缘层的部分表面；在所述金属互连线和所述第一绝缘层上覆盖第二绝缘层；在所述第二绝缘层内形成第二金属互连结构，所述第二金属互连结构位于所述金属互连线上方。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||