发明名称 |
三电平单元的动态随机存取存储器及其读取方法 |
摘要 |
一种三电平单元的动态随机存取存储器及其读取方法。三电平单元的动态随机存取存储器(DRAM)将三种电压电平(0,VDD/2,VDD)储存在多个存储单元上。选定的存储单元连接到位线(BLT)以产生信号电压,相邻的参考位线(BLR)产生VDD/2参考电压。使用一种不对称灵敏放大器(ASA)判断信号电压和参考电压的不同和相同,该放大器具有正偏移电压和负偏移电压。ASA的控制信号A和B在不同的时间点进行切换、或在不同的电压电平进行切换或者二者的结合,以将偏移电压设置在正或负极性。可以从同一个ASA连续读取两次或者从两个ASA进行一次单独读取,以读取存储单元数据到本地IO。ASA的输出将用于将电压恢复到访问的存储单元。 |
申请公布号 |
CN106409328A |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201610665877.1 |
申请日期 |
2016.08.12 |
申请人 |
深圳星忆存储科技有限公司 |
发明人 |
刘波 |
分类号 |
G11C11/409(2006.01)I;G11C7/06(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/409(2006.01)I |
代理机构 |
北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 |
代理人 |
李丙林;曹桓 |
主权项 |
一种三电平单元的动态随机存取存储器,其特征在于,包括:多个存储单元阵列,其由存储单元构成,所述存储单元用于在单元电容器中储存VDD、VDD/2和对地电压来表示三种状态,或者所述存储单元的每个单元为1.58比特;不对称灵敏放大器,具有可控制并且极性可切换的正偏移电压和负偏移电压,尤其用于三电平单元动态随机存取存储器的感测操作,且偏移极性能够通过在不同的时间点激活的两个不同的控制信号或通过在不同时间点以不同模拟电压电平激活的两个不同的控制信号而进行切换;恢复和回写电路,其用于数据写入和恢复;以及在位线对和不对称灵敏放大器的电压输入之间的多个互连件。 |
地址 |
518000 广东省深圳市南山区粤海街道科技中二路软件园二期10栋702C室 |