发明名称 |
一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法及制绒方法 |
摘要 |
本发明公开了一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法及制绒方法,包括以下步骤:1):将金刚线切割好的多晶硅片进行清洗烘干;2):对清洗烘干后的多晶硅片进行湿氧氧化;3):将步骤2)中处理的多晶硅片清洗烘干;4):将步骤3)中处理过的多晶硅片进行固相晶化;5)将步骤4)所得到的多晶硅片进行制绒,得到制绒的多晶硅片;该方法有效的降低了金刚线切割多晶硅片后多晶硅表面的切割纹,使制绒后的电池转换效率提高。 |
申请公布号 |
CN106400122A |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201610963805.5 |
申请日期 |
2016.10.28 |
申请人 |
杭州太能硅业有限公司 |
发明人 |
刘立新 |
分类号 |
C30B33/10(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B33/10(2006.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 33200 |
代理人 |
邱启旺 |
主权项 |
一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)将金刚线切割好的多晶硅片置于酸溶液中进行浸泡处理,处理温度为0℃~30℃,处理时间为300秒,之后用DI水清洗120秒,清洗后烘干;所述的酸溶液为将浓度为20vol%的氢氟酸、30vol%的盐酸、20vol%的硝酸按照溶液体积比2:1:1混合后得到的溶液。(2)对清洗烘干后的多晶硅片放入连续式电阻炉中升温,升温至终点温度后,向连续式电阻炉中持续通入氧气和水蒸气的混合气体,保温1~10分钟。(3)将步骤(2)处理后的多晶硅片自然冷却至室温,然后置于酸溶液中进行酸洗,酸洗温度为0℃~30℃,酸洗时间为300秒,之后用DI水清洗120秒,清洗后烘干;所述的酸溶液为将浓度为20vol%的氢氟酸、30vol%的盐酸、20vol%的硝酸按照溶液体积比2:1:1混合后得到的溶液。(4)将步骤(3)中得到的多晶硅片放入真空退火炉中升温,保温,停炉自然冷却,完成制绒前的预处理。 |
地址 |
311228 浙江省杭州市萧山区临江高新技术产业园区经六路1287号 |