发明名称 一种非极化择优取向ZnO基多晶薄片的制备方法
摘要 本发明公开了一种自形成非极化择优取向ZnO基多晶薄片的制备方法,属于功能材料领域,本方法将ZnO与掺杂金属氧化物的纳米粉末按所需配比在玛瑙研钵中混合、研磨;通过压片机将研磨后的混合原料压制成厚片块材;将原料块材放置在刚玉坩埚内进行高温烧结;上述步骤完成后,即可在高温烧结后的各向同性ZnO基多晶块材和刚玉坩埚间自发形成高度(10<img file="dest_path_image002.GIF" wi="8" he="23" />0)择优、厚度约100μm的ZnO基多晶薄片。本发明所述方法方法简单、重复性好、成本低廉。
申请公布号 CN106400114A 申请公布日期 2017.02.15
申请号 CN201610811260.6 申请日期 2016.09.09
申请人 昆明理工大学 发明人 宋世金;虞澜;张雪峰;邱兴煌;谈文鹏;胡建力;钟毅
分类号 C30B29/16(2006.01)I;C30B28/02(2006.01)I 主分类号 C30B29/16(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种非极化择优取向ZnO基多晶薄片的制备方法,其特征在于,具体包括以下步骤:(1)将ZnO纳米粉末与金属氧化物纳米粉末混合均匀得到的混合粉末压制成各向同性ZnO基块材;(2)将步骤(1)得到的各向同性ZnO基块材放置在刚玉坩埚内进行高温烧结,烧结完成后即可在各向同性的ZnO基多晶块材和刚玉坩埚之间自发形成具有(10<img file="244641dest_path_image001.GIF" wi="8" he="15" />0)择优取向的ZnO基多晶薄片;所述高温烧结的工艺为由室温依次升至400‑600℃、900‑1100℃,分别保温0.5‑2h,再升至1350‑1450℃,烧结10‑20h,之后依次降至900‑1100℃、400‑600℃,分别保温0.5‑2h,再降至室温;其中升温速率3‑7℃/min,降温速率8‑12℃/min,烧结气氛为空气。
地址 650093 云南省昆明市五华区学府路253号