发明名称 透明导电性薄膜的制造方法
摘要 本发明提供一种在透明薄膜基材上形成有结晶的铟系复合氧化物膜的长条状的透明导电性薄膜的制造方法。本发明的制造方法具有:非晶层叠体形成工序,其中,通过溅射法在所述长条状透明薄膜基材上形成含有铟和四价金属的铟系复合氧化物的非晶膜;以及结晶化工序,其中,形成有所述非晶膜的长条状透明薄膜基材被连续地输送至加热炉内,所述非晶膜被结晶化。相对于铟和四价金属共计100重量份,前述铟系复合氧化物优选含有超过0重量份且为15重量份以下的四价金属。
申请公布号 CN106399939A 申请公布日期 2017.02.15
申请号 CN201610985842.6 申请日期 2011.07.06
申请人 日东电工株式会社 发明人 山崎由佳;梨木智刚;菅原英男
分类号 C23C14/08(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I 主分类号 C23C14/08(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;李茂家
主权项 一种透明导电性薄膜的制造方法,其是制造在长条状透明薄膜基材上形成有结晶铟系复合氧化物膜的长条状透明导电性薄膜的方法,该方法具有:非晶层叠体形成工序,其中,通过溅射法在所述长条状透明薄膜基材上形成含有铟和四价金属的铟系复合氧化物的非晶膜;以及结晶化工序,其中,形成有所述非晶膜的长条状透明薄膜基材被连续地输送至加热炉内,所述非晶膜被结晶化,相对于铟和四价金属共计100重量份,所述铟系复合氧化物含有超过0重量份且为15重量份以下的四价金属,在所述结晶化工序中,被施加到加热炉内的长条状透明薄膜基材上的输送方向的应力为1.1MPa~2.8MPa,结晶化的ITO膜的表面电阻值R<sub>0</sub>、与进一步在150℃下加热90分钟后的ITO膜的表面电阻值R的比R/R<sub>0</sub>为1.3以下,供给至结晶化工序前的非晶层叠体在150℃下加热60分钟时的尺寸变化率H<sub>0</sub>、与结晶化后的透明导电性层叠体在150℃下加热60分钟时的尺寸变化率H<sub>1</sub>的差ΔH=(H<sub>1</sub>‑H<sub>0</sub>)为‑0.4%~+1.5%。
地址 日本大阪府