发明名称 |
SURFACE ENCAPSULATION FOR WAFER BONDING |
摘要 |
캡슐화 층을 갖는 웨이퍼 본딩을 위한 기술들이 개시된다. 제1 반도체 기판이 제공된다. 그 다음, 캡슐화 층이 제1 반도체 기판의 최상부 상에 형성된다. 캡슐화 층은, 산화제에 노출될 때 안정한 산화물을 생성하는 캡슐화 재료로 형성된다. 제1 본딩 층이 캡슐화 층의 최상부 상에 형성된다. 다음으로, 제2 반도체 기판이 제공된다. 제2 본딩 층이 제2 본딩 층의 최상부 상에 형성된다. 그 후, 제1 본딩 층을 제2 본딩 층에 부착함으로써 제1 반도체 기판이 제2 반도체 기판에 본딩된다. |
申请公布号 |
KR20170017880(A) |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
KR20167031258 |
申请日期 |
2014.06.13 |
申请人 |
인텔 코포레이션 |
发明人 |
전, 기민;라크마디, 윌리;글래스, 글렌;머시, 아난드 |
分类号 |
H01L21/20;H01L21/02;H01L21/205;H01L21/324;H01L21/48;H01L21/56 |
主分类号 |
H01L21/20 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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