发明名称 DRIVE CIRCUIT FOR POWER SEMICONDUCTOR ELEMENT
摘要 파워 반도체소자(1)의 게이트 단자-이미터 단자간에의 충전 지령인 전압 지령 VGEref를 생성하는 전압 지령 생성부(2), 전압 지령 VGEref와 파워 반도체소자(1)의 게이트 단자-이미터 단자 간 전압의 편차 전압 Verr를 산출하는 감산기(3), 편차 전압 Verr가 입력되어 파워 반도체소자(1)의 게이트 단자에 흘리는 게이트 전류를 결정하는 게이트 전류 지령 전압 VIGref를 산출하는 게이트 전류 제어기(4), 게이트 전류 지령 전압 VIGref를 제한하는 게이트 전류 지령 제한기(19) 및, 게이트 전류 지령 제한기(19)의 출력인 실게이트 전류 지령 전압 VIGout이 입력되어 파워 반도체소자(1)의 게이트 단자에 게이트 전류를 공급하는 게이트 전류 공급기를 구비한다.
申请公布号 KR101706901(B1) 申请公布日期 2017.02.14
申请号 KR20167001369 申请日期 2013.06.24
申请人 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 发明人 하야시 요시토모;오자와 마사히로;다나카 도시키
分类号 H02M1/44;H02M1/00;H03K17/16 主分类号 H02M1/44
代理机构 代理人
主权项
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