| 发明名称 |
SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROGRAM |
| 摘要 |
처리실 내의 승온 시간을 단축시킨다. 기판이 처리되는 처리실; 처리실 내에서 기판이 보지되는 기판 보지구; 처리실 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급부; 처리실 외에 설치되고 처리실 내를 가열하는 제1 히터; 기판 보지구의 하방에 설치된 단열부; 단열부 내에 설치되고 처리실 내를 가열하는 제2 히터; 및 단열부 내에 퍼지 가스를 공급하고 단열부 내를 퍼지하도록 구성된 퍼지 가스 공급부;를 구비한다. |
| 申请公布号 |
KR20170016789(A) |
申请公布日期 |
2017.02.14 |
| 申请号 |
KR20160095160 |
申请日期 |
2016.07.27 |
| 申请人 |
가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 |
发明人 |
사이도 슈헤이;요시다 히데나리;야마구치 타카토모;나카다 타카유키;타니야마 토모시 |
| 分类号 |
H01L21/324;H01L21/02;H01L21/22;H01L21/67 |
主分类号 |
H01L21/324 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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