发明名称 MOS pass transistor and level shifter using the same
摘要 모스(MOS) 패스 트랜지스터는, 제1 도전형의 반도체층과, 반도체층의 액티브영역을 한정하는 트랜치 소자분리층과, 이격되면서 트랜치 소자분리층의 양 측면에 접하도록 배치되는 제2 도전형의 제1 접합영역 및 제2 접합영역과, 그리고 트랜치 소자분리층 위에 배치되되, 그 하부는 트랜치 소자분리층의 표면으로부터 일정 깊이만큼 삽입되도록 배치되는 게이트전극층을 포함한다.
申请公布号 KR20170016259(A) 申请公布日期 2017.02.13
申请号 KR20150109756 申请日期 2015.08.03
申请人 에스케이하이닉스 주식회사 发明人 박성근
分类号 H01L29/94;H01L21/762;H03K19/0185 主分类号 H01L29/94
代理机构 代理人
主权项
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