| 摘要 |
무도핑 채널을 갖는 MOSFET을 제조하는 방법이 개시된다. 본 방법은 더미 폴리 게이트, 더미 층간(IL) 산화물, 및 도핑된 채널을 갖는 반도체 구조물을 기판 상에 제조하는 단계를 포함한다. 본 방법은, 도핑된 채널을 노출시키기 위해 더미 폴리 게이트와 더미 IL 산화물을 제거하는 단계, 기판 상의 영역으로부터 도핑된 채널을 제거하는 단계, 기판 상의 영역에서 반도체 구조물을 위한 무도핑 채널을 형성하는 단계, 및 반도체 구조물을 위한 금속 게이트를 형성하는 단계를 더 포함한다. 더미 폴리 게이트 제거는 건식 및 습식 에칭 동작들을 포함할 수 있다. 더미 IL 산화물 제거는 건식 에칭 동작들을 포함할 수 있다. 도핑된 채널 제거는 기판 상에서의 이방성 에칭 동작들을 포함할 수 있다. 무도핑 채널 형성은 무도핑 채널을 성장시키기 위해 에피택셜 공정을 적용하는 단계를 포함할 수 있다. 본 방법은 무도핑 채널 위에 IL 산화물을 성장시키는 단계를 더 포함할 수 있다. |
