| 摘要 |
FinFET 및 FinFET 형성 방법이 개시된다. 방법에서, 제1 트렌치가 기판 내에 형성된다. 이어서, 제1 트렌치 내에 제1 격리 영역이 형성된다. 제1 격리 영역 사이에 에피택셜 영역이 에피택셜 성장된다. 에피택셜 영역을 에칭하고 복수의 핀을 형성함으로써 제2 트렌치가 형성된다. 제2 트렌치 내에 제2 격리 영역이 형성된다. 구조체는 기판; 기판 상의 제1 핀; 제1 핀 위의 게이트 유전체; 및 게이트 유전체 위의 게이트 전극을 포함한다. 제1 핀은 1 * 10cm보다 작은 적층 결함 밀도를 갖는 에피택셜층을 포함한다. |
