| 摘要 |
Si 기판(1)의 이면에 n형 불순물을 주입하여 n형층(3)을 형성한다. Si 기판(1)의 이면에는 오목부(4)가 형성되어 있다. n형층(3)을 형성한 후에 이면 위와 오목부(4) 내에 산화막(5)을 형성한다. 오목부(4) 내의 보호막을 남기면서 이면 위의 산화막(5)을 제거한다. 산화막(5)을 제거한 후에 이면 위에 Al-Si막(6)을 형성한다. Al-Si막(6) 위에 금속 전극(7)을 형성한다. 계속하여, 본 실시의 형태의 효과를 비교예와 비교하여 설명한다. 오목부(4) 내의 산화막(5)은, Al-Si막(6)으로부터 오목부(4)를 통해서 Si 기판(1)으로 Al이 확산되는 것을 막는다. |
