| 摘要 |
Спосіб виготовлення фотодіода на основі контакту метал-GaP включає механічне та хімічне полірування підкладинки, створення омічного та випрямляючого контактів. Підкладинки n-GaP травлять у розплаві KOH:NaNO=1:50 при температурі 500± протягом 20±10 хв., далі на них термічним напиленням у вакуумі наносять напівпрозору плівку Ni, що є випрямляючим контактом. |
