发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 입사광의 강도에 관계없이, 고정밀도의 촬상 데이터를 취득하는 반도체 장치로 한다. 화소에 형성된 제 1 포토 센서와, 화소의 주변에 형성된 제 2 포토 센서와, 제 2 포토 센서에서 취득된 외광 강도에 따라, 제 1 포토 센서의 구동 조건을 설정하는 컨트롤러를 갖고, 컨트롤러에서 설정된 구동 조건에 따라, 제 1 포토 센서의 감도를 변경한 후에 촬상하는 반도체 장치로 한다. 이에 따라, 반도체 장치는, 입사광의 강도에 따라 감도를 최적화한 제 1 포토 센서를 이용하여, 촬상할 수 있다.
申请公布号 KR20170016036(A) 申请公布日期 2017.02.10
申请号 KR20177003173 申请日期 2011.02.17
申请人 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 发明人 쿠로카와 요시유키;이케다 타카유키;타무라 히카루
分类号 H04N5/235;G06F1/16;G06F3/041;G06F3/042;H01L27/146;H04N5/351;H04N5/374 主分类号 H04N5/235
代理机构 代理人
主权项
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