发明名称 Manufacturing Method of Organic Thin Film Transistor
摘要 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기박막트랜지스터의 제조방법은 기판 상에 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 소오스 전극 및 드레인 전극 상에 캐비티를 갖는 뱅크패턴을 형성하는 단계, 상기 뱅크패턴의 상기 캐비티에 유기 반도체 용액과 유기 절연 용액이 혼합된 혼합용액을 도포하는 단계, 상기 유기 절연 용액이 상기 유기 반도체 용액의 상부에 위치되도록 상분리되는 단계, 상기 기판을 열처리하여 유기 게이트 절연막과 유기 반도체층을 형성하는 단계 및 상기 유기 반도체층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
申请公布号 KR101705367(B1) 申请公布日期 2017.02.10
申请号 KR20100071871 申请日期 2010.07.26
申请人 엘지디스플레이 주식회사 发明人 이정은
分类号 H01L27/32;H01L51/00 主分类号 H01L27/32
代理机构 代理人
主权项
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