| 摘要 |
Винахід належить до технології виготовлення сцинтиляційних детекторів і може бути використаний для обробки поверхонь високогігроскопічних галоїдних кристалів, зокрема простих і багатокомпонентних сцинтиляторів SrI:Eu, BaCsI:Eu, BaBrI:Eu, CsCaBr:Eu, та може знайти широке застосування у виробництві сцинтиляційних детекторів для реєстрації ядерних випромінювань. Спосіб обробки поверхонь високогігроскопічних галоїдних кристалів для виготовлення сцинтиляторів включає обробку торцевих поверхонь кристалів композиціями, які містять абразивний порошок з гексаметилдисилазаном в складі, промивку поверхонь гексаметилдисилазаном, полірування поверхні сцинтилятора з боку вихідного вікна абразивом з розміром зерна 3-5 мкм, додаткову промивку гексаметилдисилазаном і полірування абразивним порошком з розміром зерна 0,3-0,8 мкм, та обробку поверхні сцинтилятора з боку вхідного вікна гнучким гідрофобним полімерним абразивним матеріалом з однаковою орієнтацією зерен однорідного гранулометричного складу розміром 15,0-40,0 мкм. Технічним результатом винаходу поліпшення енергетичного розділення сцинтилятора в порівнянні з прототипом на 10-18 %, а світлового виходу на 6-15 %. |
