WAFER BONDING PROCESS AND STRUCTURE

摘要

반도체 디바이스 및 그 제조 방법이 개시된다. 일실시예에서 하나 이상의 패시베이션층이 제1 기판 상부에 형성된다. 리세스가 패시베이션층 내에 형성되고, 하나 이상의 도전성 패드가 리세스 내에 형성된다. 하나 이상의 배리어층이 패시베이션층과 도전성 패드 사이에 형성된다. 제1 기판의 도전성 패드들이 제2 기판의 도전성 패드들과 정렬되어 직접적인 본딩 방법을 이용하여 본딩된다.