| 摘要 |
【課題】 良好な劈開面を得ることができ、また、得られる半導体レーザ素子のＦＦＰのリップルを低減することができる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【解決手段】 基板の上に活性層を有する半導体積層体が形成されたウェハを準備する工程と、半導体積層体に、Ｘ方向に延伸するリッジと、リッジから離間し、Ｘ方向と交差するＹ方向に延伸する複数の第１凹部と、第１凹部よりもリッジに接近して配置される複数の第２凹部と、を形成する工程と、ウェハを、複数の第１凹部に沿って劈開することで光出射面を形成する劈開工程と、を備える半導体レーザ素子の製造方法であって、第２凹部は、光出射面の近傍に位置するように形成し、第２凹部のＹ方向の長さをＬ、第２凹部の、Ｙ方向における座標であるＹ座標が第１凹部と一致する部分のＹ方向の長さをＬａ（０＜Ｌａ）としたときに、Ｌａ＜（Ｌ−Ｌａ）の関係を満たす。【選択図】図２Ａ |
