| 发明名称 |
基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及びガス供給管 |
| 摘要 |
【課題】多段に載置される基板の膜厚の均一性を向上させる構成を提供することにある。【解決手段】処理室内にガスを供給するガス供給系と、処理室内のガスを排出する排気系と、処理室内にガスを供給する孔が設けられ、片方の端はガス供給系に接続され、他方の端は処理室の外で排気系に接続されるガス供給管と、を備える構成が提供される。【選択図】図４ |
| 申请公布号 |
JP2017033974(A) |
申请公布日期 |
2017.02.09 |
| 申请号 |
JP20150149214 |
申请日期 |
2015.07.29 |
| 申请人 |
株式会社日立国際電気 |
发明人 |
鎌倉 司 |
| 分类号 |
H01L21/31;C23C16/455;H01L21/316 |
主分类号 |
H01L21/31 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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