摘要 |
본 발명은 이미지센서 셀을 구성하는 복수 개의 트랜지스터들 중 적어도 하나가 채널영역이 기판의 내부로 함몰된 리세스 트랜지스터(Recess Transistor)인 이미지센서 셀을 개시한다. 상기 이미지센서 셀은, 영상신호에 대응되는 영상전하를 생성하는 영상전하생성부 및 상기 영상전하를 전기신호로 변환하는 영상신호변환부를 구비하며, 상기 영상신호변환부를 구성하는 복수 개의 트랜지스터들 중 적어도 하나의 트랜지스터는 기판의 내부로 함몰된 채널영역을 가지는 리세스 트랜지스터이다. |