发明名称 PHOTOMASK FOR PREVENTING DAMAGE BY ELECTROSTATIC DISCHARGEESD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要 본 발명은 정전기 방전에 의한 패턴 손상 방지용 포토마스크 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 접촉식 포토리소그래피 공정에 사용하는 포토마스크에 있어서, 전도성 물질을 이용함으로써, 종래의 포토마스크와 동일한 구조를 갖지만 접촉식 포토리소그래피 공정 중 발생하는 정전기 방전에 의한 포토마스크 내 패턴 손상을 효과적으로 방지하고 이때 고투과성 전도성 물질을 사용함으로써 기존과 동일한 노광 효율을 구현할 수 있는 포토마스크 제조 기술에 관한 것이다.
申请公布号 KR101703654(B1) 申请公布日期 2017.02.09
申请号 KR20160135458 申请日期 2016.10.19
申请人 (주)네프코 发明人 박중철
分类号 G03F1/40;G03F1/00;G03F1/50;G03F7/00;H01L21/027 主分类号 G03F1/40
代理机构 代理人
主权项
地址