发明名称 半導体装置及び半導体装置の作製方法
摘要 【課題】ダイオードの逆方向電流を低減することを目的の一とする。また、薄膜トランジスタを用いる表示装置の画質の向上を目的の一とする。【解決手段】ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極の端部に至らない内側領域に設けられた微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜の上面及び側面を被覆する非晶質半導体膜と、非晶質半導体膜上に、ソース領域及びドレイン領域をそれぞれ形成する一導電型の不純物元素が添加された不純物半導体膜と、を有し、微結晶半導体膜は、ドナーとなる不純物元素を含む薄膜トランジスタである。【選択図】図16
申请公布号 JP2017034262(A) 申请公布日期 2017.02.09
申请号 JP20160179156 申请日期 2016.09.14
申请人 株式会社半導体エネルギー研究所 发明人 山崎 舜平;細谷 邦雄;鈴木 康太;藤川 最史
分类号 H01L29/786;G02F1/1368;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/10;H05B33/14;H05B33/22 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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