半導体装置、モジュールおよび電子機器

摘要

【課題】微細なトランジスタを提供する。【解決手段】基板上の第１の導電体と、第１の導電体上の第１乃至第４の絶縁体と、第４の絶縁体上の第５の絶縁体と、第５の絶縁体上の酸化物半導体と、酸化物半導体上の第６の絶縁体と、第６の絶縁体上の第７の絶縁体と、第７の絶縁体上の第２の導電体と、を有し、第１および第３の絶縁体は、シリコンを有し、第２の絶縁体は、アルミニウム、ハフニウム、ガリウム、イットリウムまたはジルコニウムから選ばれた一以上を有し、第４の絶縁体は、アルミニウム、ハフニウム、ガリウム、イットリウムまたはジルコニウムから選ばれた一以上を有し、第４の絶縁体は、第５の絶縁体と接する第１の部分と、第５の絶縁体と接しない第２の部分と、を有し、第１の部分の上面より、第２の部分の上面のほうが、下方に設けられ、第１の部分の上面と、第２の部分の上面と、の高さの差が、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である半導体装置。【選択図】図１