发明名称 半導体装置
摘要 【課題】キャリアの移動度を向上させた半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、第1半導体層と第2半導体層と第3半導体層と第1電極とを含む半導体装置が提供される。前記第3半導体層は、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられる。前記第1電極は、前記第3半導体層と対向する。前記第3半導体層における配向性は、前記第1半導体層における配向性よりも高い。【選択図】図1
申请公布号 JP2017034085(A) 申请公布日期 2017.02.09
申请号 JP20150152626 申请日期 2015.07.31
申请人 株式会社東芝 发明人 小田 穣;森 伸二;佐久間 究;齋藤 真澄
分类号 H01L29/786;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/08;H01L27/092 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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