发明名称 |
表示装置 |
摘要 |
【課題】剥離工程を簡略化し、且つ大型基板に対する剥離・転写を均一に行う半導体装置の方法を提供する。【解決手段】第1の基板上に金属膜を形成し、金属膜に接して珪素を有する絶縁膜を形成すると金属膜の表面には酸化金属膜が形成されている。そして、絶縁膜上に薄膜トランジスタ等の半導体素子を形成する。第1の接着剤を用いて、半導体素子上に第2の基板を固定し、かつ第1の基板を分離し、第2の接着剤を用いて、半導体素子下にフィルム基板等の第3の基板を固定し、かつ第2の基板を分離するときに、紫外線を照射することによって、第1の接着剤の粘着性の低下又は剥離と、第2の接着剤の硬化とを同時に行う。【選択図】なし |
申请公布号 |
JP2017033948(A) |
申请公布日期 |
2017.02.09 |
申请号 |
JP20160214150 |
申请日期 |
2016.11.01 |
申请人 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
发明人 |
山崎 舜平;高山 徹;丸山 純矢;後藤 裕吾;福本 由美子 |
分类号 |
H05B33/02;G02F1/136;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/77;H01L21/84;H01L27/12;H01L27/32;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/14;H05B33/22 |
主分类号 |
H05B33/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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