发明名称 方法、装置、X線回折装置及び試料
摘要 【課題】汚染元素に汚染された超格子層の添加元素濃度を求める方法を提供する。【解決手段】方法は、基板上に、結晶性を有する第1の層と、結晶性を有する第2の層と、第2の層と格子整合して積層され、第2元素を含み、結晶性を有する第3の層とを、第1の層及び第2の層及び第3の層内に第1元素が同じ濃度を含むように形成した後、基板を除去して、試料を形成し、試料のX線回折光強度の角度分布を測定し、第1の層に起因する第1ピークの位置と、第2の層及び第3の層に起因する第2のピークの位置とに基づいて、第3の層に含まれる第2元素の濃度を求める。【選択図】図19
申请公布号 JP2017032482(A) 申请公布日期 2017.02.09
申请号 JP20150155024 申请日期 2015.08.05
申请人 富士通株式会社 发明人 野村 健二
分类号 G01N23/207;G01N23/20 主分类号 G01N23/207
代理机构 代理人
主权项
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