ETCHANT AND MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE USING THE SAME

摘要

본 발명의 일 실시예는, 식각액 조성물에 관한 것으로서, 상기 조성물의 총 중량에 대하여, 과황산염 0.5 내지 20 중량%, 불소 화합물 0.01 내지 2 중량%, 무기산 1 내지 10 중량%, 고리형 아민 화합물 0.5 내지 5 중량%, 염소 화합물 0.1 내지 5 중량%, 지방족 술폰산 0.1 내지 10 중량%, 유기산 또는 유기산염 1 내지 20 중량% 및 잔량의 물을 포함할 수 있다.