| 摘要 |
本発明は、多結晶質シリコンの製造方法に関する。シリコン含有成分及び水素を含んでなる反応ガスを反応器中に導入し、反応器が少なくとも１個のシリコン製の支持体を含んでなり、該支持体が電流を直接通すことにより加熱される。シリコン含有成分が分解し、多結晶質シリコンが、少なくとも１個の支持体上に堆積する。本発明は、少なくとも１個のシリコン製の支持体が、酸化物層を有し、酸化物層は、少なくとも１個の支持体上への多結晶質シリコンの堆積が開始される前に除去され、少なくとも１個の支持体を１１００〜１２００℃の温度まで加熱し、水素を含む雰囲気に、０．１〜５ｂａｒの圧力で露出し、水素を含むフラッシングガスが反応器に供給されることを特徴とする。 |
