| 发明名称 |
半導体装置、半導体装置の作製方法、モジュールおよび電子機器 |
| 摘要 |
【課題】微細な構造を有するトランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体、第１の導電体および第２の導電体が順に積層した積層体上に配置された第１の絶縁体上にエッチングマスクを形成し、エッチングマスクを用いて、第１の導電体が露出するまで第１の絶縁体および第２の導電体をエッチングし、第２の導電体よりも細い幅の溝を形成するように半導体が露出するまで第１の導電体をエッチングした後、第２の絶縁体および第３の導電体を順に形成する。【選択図】図１ |
| 申请公布号 |
JP2017034246(A) |
申请公布日期 |
2017.02.09 |
| 申请号 |
JP20160146884 |
申请日期 |
2016.07.27 |
| 申请人 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
发明人 |
山崎 舜平;笹川 慎也;岡本 悟;倉田 求;遠藤 佑太 |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/28;H01L21/82;H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/8236;H01L21/8238;H01L21/8242;H01L27/04;H01L27/08;H01L27/088;H01L27/092;H01L27/108;H01L27/146;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/14 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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