| 摘要 |
一実施形態において、第２の半導体層は、第１の半導体層の上に（例えば、複数の層転写技術を用いて）転写される。第２の層は、複数の所望のウェル内にパターニングされる。複数のウェルの間に、第１の層が露出する。Ｓ１及びＳ２の両方を含むプレーナ型異種基板を完成させるべく、露出された第１の層は転写された第２の層のレベルまでエピタキシャルに成長させられる。複数の異種材料は、例えば、ＩＩＩ−Ｖ族又はＩＶ族材料のうち１つから形成されたＰチャネルデバイスが、ＩＩＩ−Ｖ族又はＩＶ族材料のうち１つから形成されたＮチャネルデバイスと同一平面を成すように利用され得る。実施形態は、第１の層の上に転写されようとしている第２の層により、格子パラメータの適合を必要としない。また、バッファ及び／又はヘテロエピタキシーは存在しない（又はほとんど存在しない）。他の複数の実施形態は本明細書で説明される。 |
