| 摘要 |
イオン注入を使用した太陽電池エミッタ領域の製造方法及び結果として生じる太陽電池が説明される。一例では、太陽電池の交互のＮ型及びＰ型エミッタ領域の製造方法は、基板上にシリコン層を形成するステップを含む。第１の導電型のドーパント不純物原子が、第１のシャドーマスクを介して、シリコン層内に注入され、第１の注入領域を形成し、シリコン層の非注入領域が生じる。第２の反対の導電型のドーパント不純物原子が、第２のシャドーマスクを介して、シリコン層の非注入領域の一部に注入され、第２の注入領域を形成し、シリコン層の残留非注入領域が生じる。シリコン層の残留非注入領域は選択的エッチングプロセスによって除去される一方で、シリコン層の第１及び第２の注入領域はアニールされ、ドープされた多結晶シリコンエミッタ領域が形成される。 |
