| 摘要 |
Vorrichtung zum Herstellen eines Einkristallhalbleiters, mit einer Kammer (22), die in einem Ofen angeordnet ist und einen Schmelztiegel (24) aufweist, in den eine Schmelze (28) gefüllt ist, einem Heizelement (25) zum Beheizen des Schmelztiegels (24) und einem Draht (50), der in der Kammer (22) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Bereich eines Drahtkörpers (51), der einer hohen Temperatur ausgesetzt ist, von einer Manschette (52) bedeckt ist, die in mehrere Abschnitte unterteilt ist und aus rostfreiem Stahl, Molybdän oder Wolfram in einer zylindrischen Form gebildet ist, wobei ein Vorsprung (52a) und eine Vertiefung (52b) auf dem jeweiligen Ende der Manschette (52) als männliche und weibliche Eingriffsabschnitte zur Kopplung ohne einen Spalt zwischen vertikal benachbarten Abschnitten der Manschette (52) ausgebildet ist. |
