| 摘要 |
【課題】裏面に保護フィルムが設けられた半導体基板を適切にダイシング加工することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一形態に係る半導体装置１００の製造方法は、半導体基板Ｗの回路面１０Ａとは反対側の裏面１０Ｂに、接着剤層２２を介してガラス質材料又は透明セラミックス材料で構成された保護層２１を接着することを含む。半導体基板Ｗに第１のレーザー光Ｌ１を照射することで、半導体基板Ｗを割断するための改質領域１３が半導体基板Ｗの内部に形成される。保護層２１に第２のレーザー光Ｌ２を照射することで、保護層２１を割断するための加工領域２３が保護層２１に形成される。【選択図】図１ |
