加工基板及びそれを用いた半導体装置

摘要

加工基板(11)は、主面がｃ面であり、基板表面に、平面視において正三角形格子を構成するように配設された複数の突起(12)が形成されている。複数の突起(12)は、それらによって構成される正三角形格子における正三角形の３本の辺が、基板上に主面がｃ面のＧａＮが結晶成長したときにおけるＧａＮのａ軸に対して反時計回りになす角度のうち、最も小さい角度が１０〜５０°となるように配設されている。