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Es wird eine höchst zuverlässige Halbleitervorrichtung geschaffen. Halbleitervorrichtung (10), ausgerüstet mit: Halbleitermodulen (1 und 2), die Hauptanschlüsse (1b, 1d, 2b und 2d) haben, die nach außen verlaufen, sowie Verdrahtungsteile (1c, 1e, 2c und 2e), die Halbleiterelemente (1a und 2a) und die Hauptanschlüsse (1b, 1d, 2b und 2d) verbinden; sowie Sammelschienen (3 und 4), die einen Anschlussteil (3a und 4a) und Befestigungsteile (3b1, 3b2, 4b1 und 4b2) haben, die mit den Hauptanschlüssen (1b, 1d, 2b und 2d) verbunden sind und die Halbleitermodule (1 und 2) parallel verbinden, wobei ein größter Widerstand (Rm1 oder Rm2) unter den Widerständen zwischen den Anschlussteilen (3a und 4a) und den jeweiligen Befestigungsteilen (3b1 und 4b1) 10% oder weniger eines Widerstands (Ri) der Verdrahtungsteile (1c und 1e) beträgt und eine größte Induktivität (Lm1 oder Lm2) unter den Induktivitäten zwischen den Anschlussteilen (3a und 4a) und den jeweiligen Befestigungsteilen (3b1 und 4b1) 10% oder weniger einer Induktivität (Li) der Verdrahtungsteile (1c und 1e) beträgt. |
