| 摘要 |
【課題】シーメンス法により多結晶シリコンを製造するに際し、カーボンヒータからの炭素汚染を抑制し、多結晶シリコン中に含まれる炭素濃度を低減するために好適な技術を提供すること。【解決手段】本発明に係る反応炉２００は、シリコン芯線の初期加熱用のカーボンヒータを収容可能な空間部としてのヒータ格納部を備えている。この反応炉２００では、シリコン芯線１２の初期加熱に必要な時だけカーボンヒータ１３が析出反応空間２０にロードされ、シリコン芯線１２の初期加熱終了後にはカーボンヒータ１３が析出反応空間からヒータ格納部３０へとアンロードされる。これにより、カーボンヒータ１３は、反応炉内で必要以上にダメージを受けることが無くなり劣化が抑制されることに加え、炉内での水素ガスとの反応が抑制されるから、メタンの発生が抑制され、多結晶シリコンへのカーボン汚染も抑制される。【選択図】図２Ａ |
