| 摘要 |
【課題】電荷蓄積領域等を埋め込み型にするための新規な技術を提供する。【解決手段】電荷蓄積領域から第１電荷保持領域に電荷を転送する第１トランジスタと、前記第１電荷保持領域から第２電荷保持領域に電荷を転送する第２トランジスタとを備える固体撮像装置の製造方法であって、前記第１電荷保持領域の上に開口を有するレジストパターンを半導体基板の上に形成する工程と、前記第１電荷保持領域が埋め込み型になるように前記開口を介して不純物を注入する工程とを有し、前記不純物を注入する工程では、前記第１電荷保持領域を埋め込み型にする不純物領域が前記第２トランジスタのゲート電極の前記第１電荷保持領域の側の端から離れた位置に形成されるように前記不純物を注入する。【選択図】図３ |
