| 摘要 |
【課題】ＳＪ構造を構成する半導体領域の幅を狭くすることができる半導体装置を提供する。【解決手段】第１導電形の第１半導体領域１と、第１絶縁部２１と、導電部４０と、積層体ＬＢと、第２導電形の第４半導体領域４と、第１導電形の第５半導体領域５と、ゲート電極１０と、ゲート絶縁部２０と、を有する。第１絶縁部２１は、第１半導体領域１の一部の上に設けられている。導電部４０は、第１半導体領域１の他の一部の上に設けられている。導電部４０は、第１半導体領域１と接続されている。積層体ＬＢは、第１導電形の複数の第２半導体領域２と、第２導電形の複数の第３半導体領域３と、を有する。第４半導体領域４は、積層体ＬＢの上に選択的に設けられている。第５半導体領域５は、第４半導体領域４の上に選択的に設けられている。【選択図】図２ |
