摘要 |
【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】半導体基板SB上に第1絶縁膜を介してコイルCL1が形成され、第1絶縁膜およびコイルCL1を覆うように第2絶縁膜が形成され、第2絶縁膜上にパッドPD1が形成されている。第2絶縁膜上には、パッドPD1の一部を露出する開口部OP1を有する積層膜LFが形成され、前記積層絶縁膜上にコイルCL2が形成されている。コイルCL2はコイルCL1の上方に配置され、コイルCL2とコイルCL1とは磁気的に結合されている。積層膜LFは、酸化シリコン膜LF1と、その上の窒化シリコン膜LF2と、その上の樹脂膜LF3とからなる。【選択図】図3 |