发明名称 半導体デバイスの評価条件設定方法、及び評価条件設定装置
摘要 【課題】本発明は、高精度な露光条件管理のための適正な評価パターンを選択することが可能な半導体デバイスの評価条件設定方法、及び評価条件設定装置の提供を目的とする。【解決手段】上記目的を達成するために本発明では、試料上に形成された異なるパターンに対する荷電粒子ビームの走査に基づいて得られる複数のプロセスウィンドウチャートの内、所定のプロセスウィンドウ範囲より小さい範囲を規定する前記プロセスウィンドウチャートに対応するパターンを測定対象から除外する評価条件設定法、或いは装置を提案する。【選択図】 図1
申请公布号 JP2017032733(A) 申请公布日期 2017.02.09
申请号 JP20150151452 申请日期 2015.07.31
申请人 株式会社日立ハイテクノロジーズ 发明人 新藤 博之;深谷 郁
分类号 G03F7/20;H01L21/66 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人
主权项
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