发明名称 半導体装置およびその製造方法
摘要 【課題】放熱性の良好な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップを載置するアイランドを成形する成形金型がインナーパンチ10とパンチガイド11とアウターパンチ12とからなり、成形金型を押し当ててアイランドの凹部14と突出壁8と薄肉部9を形成する。このアイランドの裏面は露出させて、アイランドの表面および側面、薄肉部、半導体チップ、インナーリードおよびワイヤーを樹脂により封止する。【選択図】図2
申请公布号 JP2017034130(A) 申请公布日期 2017.02.09
申请号 JP20150153577 申请日期 2015.08.03
申请人 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 发明人 窪田 晋也
分类号 H01L23/50;H01L21/56;H01L23/28 主分类号 H01L23/50
代理机构 代理人
主权项
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