发明名称 |
基板処理装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法並びにそれに用いるプログラム |
摘要 |
【課題】基板処理温度の低温化ニーズに対応しつつ、一度に複数枚の基板を処理可能な技術を提供する。【解決手段】ボート(基板保持具)217に多段に保持された複数のウェハ(基板)200を処理する反応管203と、反応管203内部に設置され、複数のウェハ(基板)200を処理する反応ガスを供給するガス供給部と、反応管203の外壁に垂直方向に当設されて内部に電磁波が伝送されるとともに、外壁に当設される面に開口によって電磁波を供給する導波管300と、導波管300に接続され電磁波を生成する電磁波生成部とを有し、ガス供給部から供給された反応ガスを活性化させる第1のプラズマ生成部と、を備えた構造にする。これにより、低温で反応ガスを活性化でき、処理温度を低温化する。【選択図】図1 |
申请公布号 |
JP2017034067(A) |
申请公布日期 |
2017.02.09 |
申请号 |
JP20150151976 |
申请日期 |
2015.07.31 |
申请人 |
株式会社日立国際電気 |
发明人 |
▲ひろ▼地 志有;佐藤 明博 |
分类号 |
H01L21/31;C23C16/511;H01L21/205;H01L21/316;H01L21/318;H05H1/46 |
主分类号 |
H01L21/31 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|