| 发明名称 |
半導体装置 |
| 摘要 |
【課題】多層配線層の上面近傍に配置された能動電極と多層配線層の内部に配置された接地電極を有する半導体装置において、能動電極と接地電極の間の寄生容量を低減することが可能な技術を提供する。【解決手段】本明細書が開示する半導体装置は、半導体素子層と、半導体素子層の上部に形成された多層配線層と、多層配線層の上面近傍に配置されており、能動電位が入力される能動電極と、多層配線層の内部に配置されてり、接地電位に接続された接地電極と、多層配線層の内部で、能動電極と接地電極の間に配置されたフローティング電極を備えている。【選択図】図１ |
| 申请公布号 |
JP2017032512(A) |
申请公布日期 |
2017.02.09 |
| 申请号 |
JP20150155536 |
申请日期 |
2015.08.05 |
| 申请人 |
株式会社豊田中央研究所;トヨタ自動車株式会社;国立大学法人東北大学 |
发明人 |
畑 良幸;野々村 裕;明石 照久;藤吉 基弘;船橋 博文;大村 義輝;中山 貴裕;山口 宇唯;山田 整;田中 秀治;室山 真徳 |
| 分类号 |
G01L1/14;B81B3/00;G01L5/16;H01L29/84 |
主分类号 |
G01L1/14 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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