| 摘要 |
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은, 반도체 기판 상에 하부 절연층 및 하부 배선을 형성하는 단계; 상기 하부 배선의 상면에 절연 패턴층을 자기 조립(self-assembly)에 의하여 형성하는 단계; 상기 절연 패턴층 상에 층간 절연층 및 트렌치 마스크를 형성하는 단계; 상기 트렌치 마스크 상에 상기 층간 절연층의 일부를 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 층간 절연층의 일부를 제거하여, 상기 절연 패턴층을 노출시키는 예비 비아홀을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거한 후 노출된 상기 트렌치 마스크를 이용하여 상기 층간 절연층을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계; 상기 예비 비아홀 내의 상기 절연 패턴층을 선택적으로 식각하여 상기 하부 배선을 노출시키는 비아홀을 형성하는 단계; 및 상기 트렌치 및 상기 비아홀을 배선물질로 채우는 단계;를 포함할 수 있다. |
