Halbleiterbauelement mit einem lateral variierenden Dotierprofil und ein Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Ein Halbleiterbauelement enthält ein Halbleitersubstrat (300) mit einer ersten Seite (301). Mindestens ein erstes Dotierungsgebiet 341 wird in dem Halbleitersubstrat (400) ausgebildet. Das erste Dotierungsgebiet 341 besitzt eine lateral variierende Dotierungsdosierung und/oder eine lateral variierende Implantierungstiefe.