半導体装置

摘要

【課題】半導体装置の性能を向上させる。【解決手段】エミッタ電極ＥＥを、層間絶縁膜ＩＬに形成されたコンタクト溝ＣＴを介して、線状アクティブセル領域ＬＣａのＰ型ボディ領域ＰＢおよびＮ＋型エミッタ領域ＮＥに接続し、コンタクト溝ＣＴｃを介して、線状ホールコレクタセル領域ＬＣｃのＰ型ボディ領域ＰＢに接続する。そして、線状ホールコレクタセル領域ＬＣｃには、複数のコンタクト溝ＣＴｃが配置され、平面視にて、コンタクト溝ＣＴｃの長さを、コンタクト溝ＣＴの長さよりも短くする。【選択図】図２