发明名称 高分子化合物、ポジ型レジスト組成物、積層体、及びレジストパターン形成方法
摘要 【課題】極めて高い解像性を有し、ラインエッジラフネス(LER)の小さい、矩形性に優れたパターンの形成が可能なレジスト膜を形成できるレジスト組成物のベース樹脂として好適な高分子化合物の提供。【解決手段】例えば側鎖にトリフルオロメチル基及びエステルのアルコール由来部にスルホニウムカチオンとを有する(メタ)アクリル酸エステル系の繰り返し単位と、エステルのアルコール由来部が縮合環を含む(メタ)アクリル酸系繰り返し単位及び置換基を有する縮合環からなる芳香族オレフィンからなる繰り返し単位から選ばれる1種以上の繰り返し単位とを含有する高分子化合物。【選択図】なし
申请公布号 JP2017031378(A) 申请公布日期 2017.02.09
申请号 JP20150155422 申请日期 2015.08.05
申请人 信越化学工業株式会社 发明人 土門 大将;渡邉 聡;増永 恵一;小竹 正晃
分类号 C08F220/38;G03F7/004;G03F7/039;G03F7/11 主分类号 C08F220/38
代理机构 代理人
主权项
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