一种制备高存储密度多值纳米晶存储器的方法

摘要

本发明公开了一种制备高存储密度多值纳米晶存储器的方法，包括：预备硅衬底；在表面形成有氧化硅的硅衬底上生长下电极金属；在下电极金属上旋涂一层光刻胶，热板烘烤，并采用掩膜对光刻胶进行曝光，然后显影，在光刻胶层形成通孔阵列，在通孔中露出光刻胶层下的下电极金属；在通孔中沉积氧化物层；在通孔中蒸发上电极金属；剥离光刻胶及光刻胶上的氧化物层和上电极金属，露出下电极金属，得到表面具有凸起阵列的器件；在凸起的上电极金属上加正电压，将下电极金属接地，在电场激励下使得在凸起的氧化物层内部形成金属纳米颗粒的链条，得到高存储密度多值纳米晶存储器。利用本发明，解决了目前制备纳米晶存储器流程复杂、不可控、成本高等问题。

主权项

一种制备高存储密度多值纳米晶存储器的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：预备硅衬底，在硅衬底表面形成氧化硅；步骤2：在表面形成有氧化硅的硅衬底上生长下电极金属；步骤3：在下电极金属上旋涂一层光刻胶，热板烘烤，并采用掩膜对光刻胶进行曝光，然后显影，在光刻胶层形成通孔阵列，在通孔中露出光刻胶层下的下电极金属；步骤4：在通孔中沉积氧化物层；步骤5：在通孔中的氧化物层上蒸发上电极金属；步骤6：剥离光刻胶及光刻胶上的氧化物层和上电极金属，露出下电极金属，得到表面具有凸起阵列的器件，该凸起阵列中的每一个凸起均由氧化物层和上电极金属构成，且上电极金属形成于氧化物层之上；步骤7：在凸起的上电极金属上加正电压，将下电极金属接地，在电场激励下使得在凸起的氧化物层内部形成金属纳米颗粒的链条，得到高存储密度多值纳米晶存储器；其中，所述下电极金属采用惰性金属，包括铂金(Pt)、钨或氮化钛，厚度为70纳米；所述上电极金属采用活性金属，包括银或铜。