| 发明名称 | 一种等离子体处理腔室及其基台 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种等离子体处理腔室及其基台，其中基片被夹持于所述基台中的静电卡盘之上，所述静电卡盘下方还包括若干冷却液通道，所述基台包括第一绝缘层，所述第一绝缘层中内嵌有夹持电极，在所述第一绝缘层以下包括一第二绝缘层，所述第二绝缘层中内嵌有加热装置，其中，所述第二绝缘层以下设置有散热层，在所述散热层以下设置有粘接层，所述粘结层中间区域较边缘区域厚，在所述粘接层的边缘区域下方设置有补偿层。本发明能够提供均一的热平衡系统，保证静电夹盘和基片的温度均一性。 | ||
| 申请公布号 | CN104167344B | 申请公布日期 | 2017.02.08 |
| 申请号 | CN201310183299.4 | 申请日期 | 2013.05.17 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 左涛涛;倪图强 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/687(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 一种用于等离子体处理腔室的基台，其中基片被夹持于所述基台中的静电卡盘之上，所述静电卡盘下方还包括若干冷却液通道，所述基台包括第一绝缘层，所述第一绝缘层中内嵌有夹持电极，在所述第一绝缘层以下包括一第二绝缘层，所述第二绝缘层中内嵌有加热装置，其特征在于：所述第二绝缘层以下设置有散热层，在所述散热层以下设置有粘结层，所述粘结层中间区域较边缘区域厚，在所述粘结层的边缘区域下方设置有补偿层。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 | ||