一种GaN功率半导体器件的衬底转移方法

摘要

本发明提供了一种GaN功率半导体器件的衬底转移方法，通过特殊的晶圆级键合技术，将设置在硅衬底上的GaN功率半导体器件转移至柔性衬底上；该方法是一种全新的衬底转移技术，柔性衬底基板可以有效的减小GaN半导体器件尺寸，可折叠和弯曲，基于柔性衬底的GaNHEMT器件跟常规GaN LED相比具有更高的光电转换效率、稳定性和更高的亮度，可大规模应用于如电子纸、移动显示设备、可穿戴式设备等光电显示领域。该方法操作简单，可推动GaN器件在下一代微系统异质集成复杂光电集成领域的应用，具有明显的创新性和研究价值。

主权项

一种GaN功率半导体器件的衬底转移方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：在原有功率半导体器件的上表面涂覆保护层，并固化所述保护层；S2：在固化后的保护层上涂覆第一光刻胶层，采用晶圆级键合技术将所述第一光刻胶层键合到蓝宝石载片上，并固化所述第一光刻胶层；S3：去除原有功率半导体器件的硅衬底；S4：在原硅衬底处涂覆第二光刻胶层，采用晶圆级键合技术将所述第二光刻胶层键合柔性衬底上，并固化所述第二光刻胶层；S5：将功率半导体器件从蓝宝石载片上剥离，并去除所述保护层和第一光刻胶层；S6、对柔性衬底表面进行平整处理。